30W/50W/200W半導(dǎo)體激光器

30W/50W/200W 主要用于光伏電池檢查，檢測(cè)是一種基于光學(xué)激發(fā)和高靈敏相機(jī)成像的非接觸式檢測(cè)方法，廣泛應(yīng)用于硅片、太陽能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測(cè)。

30/50/200W

功率可選范圍
808±5/915±10nm

中心波長(zhǎng)
10nm

半波全寬

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產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
產(chǎn)品參數(shù)
相關(guān)產(chǎn)品

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產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

非接觸式檢測(cè)

PL檢測(cè)采用非接觸式的方法，對(duì)硅片不造成任何物理?yè)p傷或污染，確保樣品在檢測(cè)過程中保持完好
高靈敏度

PL檢測(cè)能夠發(fā)現(xiàn)微米級(jí)別甚至納米級(jí)別的缺陷和雜質(zhì)，其靈敏度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方法
快速高效

PL檢測(cè)可以在短時(shí)間內(nèi)處理大量樣品，大幅提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量控制的效率

產(chǎn)品參數(shù)

系列型號(hào)

JPT-30W
JPT-50W
JPT-200W

輸出功率（W）
中心波長(zhǎng)（nm）
中心波長(zhǎng)偏差
典型工作距離（mm）
可檢硅片尺寸（mm）
配電需求（V）
IO接口（V）
平均功耗（W）
出光控制方式
功率調(diào)節(jié)方式
工作溫濕度（℃）
尺寸 (L×W×H)（mm）
重量（kg）
適用工藝
冷卻方式

JPT-30W
- 輸出功率（W）
  
  30
- 中心波長(zhǎng)（nm）
  
  808
- 中心波長(zhǎng)偏差
  
  ±5
- 典型工作距離（mm）
  
  230~260
- 可檢硅片尺寸（mm）
  
  ≤230
- 配電需求（V）
  
  220
- IO接口（V）
  
  白 0~24V+/黑 0~0.5V-
- 平均功耗（W）
  
  100
- 出光控制方式
  
  GUI/IO接口
- 功率調(diào)節(jié)方式
  
  GUI
- 工作溫濕度（℃）
  
  20~30；＜80%
- 尺寸 (L×W×H)（mm）
  
  205×111×123
- 重量（kg）
  
  ≈4
- 適用工藝
  
  硅片鍍膜后工藝
- 冷卻方式
  
  風(fēng)冷
JPT-50W
- 輸出功率（W）
  
  50
- 中心波長(zhǎng)（nm）
  
  808
- 中心波長(zhǎng)偏差
  
  ±5
- 典型工作距離（mm）
  
  230~260
- 可檢硅片尺寸（mm）
  
  ≤230
- 配電需求（V）
  
  220
- IO接口（V）
  
  白 0~24V+/黑 0~0.5V-
- 平均功耗（W）
  
  130
- 出光控制方式
  
  GUI/IO接口
- 功率調(diào)節(jié)方式
  
  GUI
- 工作溫濕度（℃）
  
  20~30；＜80%
- 尺寸 (L×W×H)（mm）
  
  232×140×122
- 重量（kg）
  
  ≈5
- 適用工藝
  
  硅片擴(kuò)散后工藝
- 冷卻方式
  
  風(fēng)冷
JPT-200W
- 輸出功率（W）
  
  200
- 中心波長(zhǎng)（nm）
  
  915
- 中心波長(zhǎng)偏差
  
  ±10
- 典型工作距離（mm）
  
  230~260
- 可檢硅片尺寸（mm）
  
  ≤230
- 配電需求（V）
  
  220
- IO接口（V）
  
  白 0~24V+/黑 0~0.5V-
- 平均功耗（W）
  
  560
- 出光控制方式
  
  GUI/IO接口
- 功率調(diào)節(jié)方式
  
  GUI
- 工作溫濕度（℃）
  
  20~30；＜80%
- 尺寸 (L×W×H)（mm）
  
  450×235×70
- 重量（kg）
  
  ≈10
- 適用工藝
  
  硅原片以后工藝
- 冷卻方式
  
  水冷