10W-1064-01 硅片透射系列檢測模組
PL(光致發(fā)光)檢測是一種基于光學(xué)激發(fā)和高靈敏相機成像的非接觸式檢測方法,廣泛應(yīng)用于硅片、太陽能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測。
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10W功率可選范圍
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1064±5nm中心波長
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10nm半波全寬
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產(chǎn)品優(yōu)勢
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產(chǎn)品應(yīng)用
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產(chǎn)品參數(shù)
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相關(guān)產(chǎn)品
產(chǎn)品優(yōu)勢
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非接觸式檢測
PL檢測采用非接觸式的方法,對硅片不造成任何物理損傷或污染,確保樣品在檢測過程中保持完好
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高靈敏度
PL檢測能夠發(fā)現(xiàn)微米級別甚至納米級別的缺陷和雜質(zhì),其靈敏度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方法
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快速高效
PL檢測可以在短時間內(nèi)處理大量樣品,大幅提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量控制的效率
產(chǎn)品應(yīng)用
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檢測模組相機捕捉示意圖
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光伏檢測模組
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光伏檢測
產(chǎn)品參數(shù)
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450nm—100W
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型號(W)
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中心波長(nm)
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中心波長偏差
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平均功率(W)
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典型工作距離(mm)
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出光口尺寸(mm)
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可檢硅片尺寸(mm)
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配電需求(V)
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IO接口
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平均功耗(W)
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出光控制方式
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功率調(diào)節(jié)方式
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工作溫濕度(℃)
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控制器三維尺寸 (L×W×H)(mm)
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光學(xué)模組三維尺寸 (L×W×H)(mm)
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重量(kg)
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適用工藝
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450nm—100W
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型號(W)15
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中心波長(nm)1064
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中心波長偏差±5
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平均功率(W)15
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典型工作距離(mm)10~25
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出光口尺寸(mm)280×10
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可檢硅片尺寸(mm)≤230
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配電需求(V)220
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IO接口白 0~24V+/黑 0~0.5V-
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平均功耗(W)150
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出光控制方式GUI/編碼開關(guān) IO接口
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功率調(diào)節(jié)方式GUI/編碼開關(guān)
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工作溫濕度(℃)20~30;<80%
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控制器三維尺寸 (L×W×H)(mm)218×122×111
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光學(xué)模組三維尺寸 (L×W×H)(mm)316×33×138
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重量(kg)≈4
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適用工藝硅原片及制絨后的硅片
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相關(guān)產(chǎn)品
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COS封裝半導(dǎo)體激光器COS封裝技術(shù)有高效、低熱阻、可靠性強,可應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療設(shè)備和通信等領(lǐng)域
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915nm系列半導(dǎo)體激光器可用于光纖激光器泵浦源,應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療、美容及科研等領(lǐng)域
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976nm系列半導(dǎo)體激光器近紅外激光設(shè)備,應(yīng)用于光纖激光器泵浦源
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808nm系列半導(dǎo)體激光器近紅外波段激光器,可作為固體激光器泵浦源
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880nm系列半導(dǎo)體激光器近紅外波段的高效能激光設(shè)備,同時可做固體激光器泵浦源
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1060nm系列半導(dǎo)體激光器應(yīng)用于硅片、太陽能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測
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1470nm系列半導(dǎo)體激光器高效能、穩(wěn)定性好,1470nm廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、美容、科研等領(lǐng)域
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1550nm帶紅光系列半導(dǎo)體激光器高功率、可見光標(biāo)記,廣泛應(yīng)用于材料加工、醫(yī)療設(shè)備和科研實驗中
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450nm-100W 高功率半導(dǎo)體激光器利用藍(lán)色激光波長,具有高輸出功率、優(yōu)秀穩(wěn)定性和高效能等特點
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10W-1064-01 硅片透射系列檢測模組廣泛應(yīng)用于硅片、太陽能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測
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200W 帶紅光半導(dǎo)體激光器廣泛應(yīng)用于材料加工、醫(yī)療設(shè)備和科研實驗
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光纖耦合高功率半導(dǎo)體激光器采用藍(lán)光波長,廣泛應(yīng)用于材料加工、顯示技術(shù)、激光成像和科研等多個領(lǐng)域
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30W/50W/200W半導(dǎo)體激光器廣泛應(yīng)用于硅片、太陽能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測
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50W方形光斑半導(dǎo)體激光器實現(xiàn)固定角度發(fā)散的方形光斑激光輸出,應(yīng)用于光伏檢測